Alunit® AIN HP 具有≥ 450 兆帕的高抗弯强度，即使在极端的温度循环条件下，也能在导电金属和陶瓷基材之间形成永久粘结。Alunit® AIN HP 的热膨胀系数为 3.7 - 5.7 ppm/K（最高温度为 300°C），接近于典型的半导体材料。因此，Alunit® AlN HP 提高了电源模块的连续负载能力。
Alunit® AlN HP 的其他优势还包括 170 W/mK 的高热导率以及 20 °C 时≥15 kV/mm 的电绝缘和介电强度。此外，还可在铜或铝上进行金属化（这在电力电子设备中很常见），以及在 DCB（直接铜键合）或 AMB（活性金属钎焊）陶瓷基板上进行金属化。
高功率、高温度的理想选择
Alunit® AlN HP 不仅是高电压和高性能功率模块的理想选择，也是大功率 LED 和片式电阻器的理想选择，甚至特别适用于更大的电流和更小的元件。在这些应用领域，Alunit® AlN HP 陶瓷基板在技术上优于 PCB 材料等。我们提供的基板规格为 138.0 x 190.5 x 0.635 毫米，也可根据要求提供其他厚度（如 1.00 毫米）的基板。
陶瓷： 现代技术的驱动力
随着高科技基材 Alunit® AlN HP 的开发，我们正在支持工业逐步实现去碳化和电气化，例如在电动汽车、加热、冷却或电能转换和分配领域。为此所需的电子模块必须满足更小尺寸的极端要求： 从最佳挠曲强度、高导热性、出色的电绝缘性到最小膨胀系数。
